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过渡金属硫化物的可控制备与器件研究
发布时间：2019-09-03 17:13:29 浏览次数： 次
报告人：刘松
主持人：祁祥
时间：2019年9月4日（星期三） 上午10:00-11:00
地点：物理楼113室
摘要：二维层状过渡金属硫化物具有优异的电学、光学等性能，在电子学，光电子学、能源催化等多方面具有广泛的研究及应用潜力。过渡金属硫化物材料的可控生长仍然是该领域的重要问题，报告将介绍过渡金属硫化物异质结合成的分步生长方法及建立的一种新型热力学生长机制，探索过渡金属硫化物生长的新方法。同时，由于过渡金属硫化物场效应晶体管存在迁移率低的特点，极大的限制了过渡金属硫化物在电子学的应用，报告以硫化钼为例，探索了一种在粗糙基底制备场效应晶体管器件的方法，有效的提高了器件的迁移率，这些研究将进一步推动过渡金属硫化物在电子学等不同领域的应用。
刘松教授于2006年在南开大学化学学院材料化学系获学士学位，2011年在北京大学化学与分子工程学院获得物理化学博士学位，之后到美国凯斯西储大学和新加坡国立大学从事博士后研究。2016年10月加入湖南大学化学生物学与纳米医学研究所，化学生物传感与计量国家重点实验室，任湖南大学化学化工学院教授，同年入选湖南省青年“百人计划”。在Nature Nanotechnol., Angew. Chem. Int. Ed., Nano Lett., Adv. Mater., Chem. Sci.等国际期刊发表学术论文30余篇。引用超过1400次。课题组主要以低维层状材料为研究对象，利用化学、物理、材料学及生物学的交叉背景，解决层状材料及异质结的可控制备，功能化器件的加工等问题，探索层状材料的潜在应用。
